| FI | 変更後 | 変更前 | 更新時期 |
|---|---|---|---|
| C30B 13/00 | ゾーンメルティングによる単結晶成長；ゾーンメルティングによる精製（Ｃ３０Ｂ１７／００が優先；処理された固体の断面積を変化させるものＣ３０Ｂ１５／００；保護流体下で行なうものＣ３０Ｂ２７／００；特定構造を有する均質多結晶物質の成長のためのものＣ３０Ｂ２８／００）［２００６．０１］ | ゾーンメルティングによる単結晶成長；ゾーンメルティングによる精製（Ｃ３０Ｂ１７／００が優先；処理された固体の断面積を変化させるものＣ３０Ｂ１５／００；保護流体下で行なうものＣ３０Ｂ２７／００；特定構造を有する均質多結晶物質の成長のためのものＣ３０Ｂ２８／００；特定物質のゾーン精製は，その物質に関連したサブクラス参照）［３，５］ | 2023年10月 |
| C30B 31/06 | ・ガス状態の拡散物質と接触させるもの［２００６．０１］ | ・ガス状態の拡散物質と接触させるもの（Ｃ３０Ｂ３１／１８が優先）［３］ | 2020年3月 |
| C30B 29/04@B | ・プラズマを生成させるもの〔Ｃ～Ｆ以外のものまたはプラズマ生成手段を特定していないもの〕 | ・プラズマを生成させるもの〔Ｃ～Ｆ以外のもの又はプラズま生成手段を特定していないもの〕 | 2017年11月 |
| C30B 29/64 | ・・平型結晶，例．板，帯状体または円板［５］ | ・・平型結晶，例．板，帯状体，円板［５］ | 2017年4月 |
| C30B 1/00 | 固相からの直接単結晶成長（共析晶物質の一方向析出Ｃ３０Ｂ３／００；保護流体下で行うものＣ３０Ｂ２７／００）［３］ | 固相からの直接単結晶成長（共析晶物質の一方向析出３／００；保護流体下で行うもの２７／００）［３］ | 2013年11月 |
| C30B 1/02 | ・熱処理によるもの，例．歪焼鈍（Ｃ３０Ｂ１／１２が優先）［３］ | ・熱処理によるもの，例．歪焼鈍（１／１２が優先）［３］ | 2013年11月 |
| C30B 5/00 | ゲルからの単結晶成長（保護流体下で行うものＣ３０Ｂ２７／００）［３］ | ゲルからの単結晶成長（保護流体下で行うもの２７／００）［３］ | 2013年11月 |
| C30B 7/00 | 常温で液体の溶媒を用いる溶液からの単結晶成長，例．水溶液（溶融溶媒からのものＣ３０Ｂ９／００；ノーマル・フリージングまたは温度勾配凝固によるものＣ３０Ｂ１１／００；保護流体下で行うものＣ３０Ｂ２７／００）［３］ | 常温で液体の溶媒を用いる溶液からの単結晶成長，例．水溶液（溶融溶媒からのもの９／００；ノーマル・フリージングまたは温度勾配凝固によるもの１１／００；保護流体下で行うもの２７／００）［３］ | 2013年11月 |
| C30B 9/00 | 溶融溶媒を用いる融液からの単結晶成長（ノーマル・フリージングまたは温度勾配凝固によるものはＣ３０Ｂ１１／００；ゾーンメルティングによるものＣ３０Ｂ１３／００；結晶引出しによるものＣ３０Ｂ１５／００；浸漬された種結晶上に成長するものＣ３０Ｂ１７／００；液相エピタキシャル成長によるものＣ３０Ｂ１９／００；保護流体下で行うものＣ３０Ｂ２７／００）［３］ | 溶融溶媒を用いる融液からの単結晶成長（ノーマル・フリージングまたは温度勾配凝固によるものは１１／００；ゾーンメルティングによるもの１３／００；結晶引出しによるもの１５／００；浸漬された種結晶上に成長するもの１７／００；液相エピタキシャル成長によるもの１９／００；保護流体下で行うもの２７／００）［３］ | 2013年11月 |
| C30B 11/00 | ノーマル・フリージングまたは温度勾配凝固による単結晶成長，例．ブリッジマン―ストックバーガー法（Ｃ３０Ｂ１３／００，Ｃ３０Ｂ１５／００，Ｃ３０Ｂ１７／００，Ｃ３０Ｂ１９／００が優先；保護流体下で行うものＣ３０Ｂ２７／００）［３］ | ノーマル・フリージングまたは温度勾配凝固による単結晶成長，例．ブリッジマン―ストックバーガー法（１３／００，１５／００，１７／００，１９／００が優先；保護流体下で行うもの２７／００）［３］ | 2013年11月 |
| C30B 11/02 | ・溶媒を使用しないもの（Ｃ３０Ｂ１１／０６が優先）［３］ | ・溶媒を使用しないもの（１１／０６が優先）［３］ | 2013年11月 |
| C30B 13/00 | ゾーンメルティングによる単結晶成長；ゾーンメルティングによる精製（Ｃ３０Ｂ１７／００が優先；処理された固体の断面積を変化させるものＣ３０Ｂ１５／００；保護流体下で行なうものＣ３０Ｂ２７／００；特定構造を有する均質多結晶物質の成長のためのものＣ３０Ｂ２８／００；特定物質のゾーン精製は，その物質に関連したサブクラス参照）［３，５］ | ゾーンメルティングによる単結晶成長；ゾーンメルティングによる精製（１７／００が優先；処理された固体の断面積を変化させるもの１５／００；保護流体下で行なうもの２７／００；特定構造を有する均質多結晶物質の成長のためのもの２８／００；特定物質のゾーン精製は，その物質に関連したサブクラス参照）［３，５］ | 2013年11月 |
| C30B 13/20 | ・・誘導によるもの，例．ホットワイヤ技術（Ｃ３０Ｂ１３／１８が優先）［３］ | ・・誘導によるもの，例．ホットワイヤ技術（１３／１８が優先）［３］ | 2013年11月 |
| C30B 15/00 | 融液からの引出しによる単結晶成長，例．チョクラルスキー法（保護流体下で行うものＣ３０Ｂ２７／００）［３］ | 融液からの引出しによる単結晶成長，例．チョクラルスキー法（保護流体下で行うもの２７／００）［３］ | 2013年11月 |
| C30B 15/24 | ・・・機械的手段を用いるもの，例．成形ガイド（縁部限定薄膜供給結晶成長［ＥＦＧ］用の成形型Ｃ３０Ｂ１５／３４）［３］ | ・・・機械的手段を用いるもの，例．成形ガイド（縁部限定薄膜供給結晶成長（ＥＦＧ）用の成形型１５／３４）［３］ | 2013年11月 |
| C30B 15/30 | ・融液または結晶を回転または移動させるための機構（フローテーション法Ｃ３０Ｂ１５／２８）［３］ | ・融液または結晶を回転または移動させるための機構（フローテーション法１５／２８）［３］ | 2013年11月 |
| C30B 17/00 | 成長中融液に浸した種結晶上への単結晶成長，例．ナッケン―キロポロス法（Ｃ３０Ｂ１５／００が優先）［３］ | 成長中融液に浸した種結晶上への単結晶成長，例．ナッケン―キロポロス法（１５／００が優先）［３］ | 2013年11月 |
| C30B 23/08 | ・・イオン化蒸気の凝縮によるもの（反応スパッタリングによるものＣ３０Ｂ２５／０６）［３］ | ・・イオン化蒸気の凝縮によるもの（反応スパッタリングによるもの２５／０６）［３］ | 2013年11月 |
| C30B 31/06 | ・ガス状態の拡散物質と接触させるもの（Ｃ３０Ｂ３１／１８が優先）［３］ | ・ガス状態の拡散物質と接触させるもの（３１／１８が優先）［３］ | 2013年11月 |
| C30B 33/00 | 単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理（Ｃ３０Ｂ３１／００が優先）［３，５］ | 単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理（３１／００が優先）［３，５］ | 2013年11月 |
| C30B 33/02 | ・熱処理（Ｃ３０Ｂ３３／０４，Ｃ３０Ｂ３３／０６が優先）［５］ | ・熱処理（３３／０４，３３／０６が優先）［５］ | 2013年11月 |