FI(一覧表示)

H01L39/00	超電導性またはハイパーコンダクティビティを利用する装置；それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置（１つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置Ｈ０１Ｌ２７／００；セラミック形成技術またはセラミック組成物に特徴のある超電導体Ｃ０４Ｂ３５／００；超電導体またはハイパーコンダクティブの導体，ケーブル，または伝送線路Ｈ０１Ｂ１２／００；超電導コイルまたは巻線Ｈ０１Ｆ；超電導性を利用する増幅器Ｈ０３Ｆ１９／００）［２，４］	HB	CC	4M113

H01L39/00@A	超電導性を利用した装置	HB	CC	4M113

H01L39/00@G	・磁気を利用した装置	HB	CC	4M113

H01L39/00@M	・マイスナー効果を利用した装置	HB	CC	4M113

H01L39/00@C	超電導体の接続〔線材を除く〕	HB	CC	4M113

H01L39/00@S	磁気シールド材	HB	CC	4M113

H01L39/00@Z	その他のもの	HB	CC	4M113

H01L39/02	・細部［２］	HB	CC	4M114

H01L39/02@A	超電導素子の実装〔例．マイクロピン〕	HB	CC	4M114

H01L39/02@B	薄膜〔超電導素子用〕	HB	CC	4M114

H01L39/02@W	回路基板〔超電導素子用〕	HB	CC	4M114

H01L39/02@D	超電導体の積層	HB	CC	4M114

H01L39/02@Z	その他のもの	HB	CC	4M114

H01L39/04	・・容器；マウント［２］	HB	CC	4M114

H01L39/06	・・電流路に特徴のあるもの［２］	HB	CC	4M113

H01L39/08	・・素子の形に特徴のあるもの［２］	HB	CC	4M113

H01L39/10	・・切換手段に特徴のあるもの［２］	HB	CC	4M113

H01L39/12	・・材料に特徴のあるもの［２］	HB	CC	4M113

H01L39/12@A	合金・金属間化合物系	HB	CC	4M113

H01L39/12@B	有機物系	HB	CC	4M113

H01L39/12@C	セラミック系	HB	CC	4M113

H01L39/12@Z	その他のもの	HB	CC	4M113

H01L39/14	・永久超電導装置［２］	HB	CC	4M114

H01L39/14@A	永久電流用機械式スイッチ	HB	CC	4M114

H01L39/14@Z	その他のもの	HB	CC	4M114

H01L39/16	・超電導状態と正常状態との間で切換可能な装置［２］	HB	CC	4M114

H01L39/18	・・クライオトロン［２］	HB	CC	4M113

H01L39/20	・・・電力用クライオトロン［２］	HB	CC	4M114

H01L39/22	・異種材料の接合からなる装置，例．ジョセフソン効果装置［２］	HB	CC	4M113

H01L39/22@A	ジョセフソン素子	HB	CC	4M113

H01L39/22@B	・メモリ素子	HB	CC	4M113

H01L39/22@C	・ソリトン・デバイス	HB	CC	4M113

H01L39/22@D	・磁気センサ，電磁場の発生・検出電圧標準用〔点接合型，弱結合型が多い〕	HB	CC	4M113

H01L39/22@G	超電導トランジスタ・多端子素子	HB	CC	4M113

H01L39/22@K	回路に特徴があるもの	HB	CC	4M113

H01L39/22@Z	その他のもの	HB	CC	4M113

H01L39/24	・３９／００に分類されている装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置［２］	HB	CC	4M113

H01L39/24@B	薄膜の製造方法	HB	CC	4M113

H01L39/24@C	・ジョセフソン素子用	HB	CC	4M113

H01L39/24@D	・積層	HB	CC	4M113

H01L39/24@F	薄膜の加工方法	HB	CC	4M113

H01L39/24@J	ジョセフソン素子の製造方法	HB	CC	4M113

H01L39/24@K	ジョセフソン素子の製造装置	HB	CC	4M113

H01L39/24@W	回路基板の製造方法	HB	CC	4M113

H01L39/24@Z	その他のもの	HB	CC	4M113

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