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C01B32/00	炭素；その化合物（Ｃ０１Ｂ２１／００，Ｃ０１Ｂ２３／００が優先；過炭酸塩Ｃ０１Ｂ１５／１０；カーボンブラックＣ０９Ｃ１／４８）［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/05	・炭素の製造または精製でグループＣ０１Ｂ３２／１５，Ｃ０１Ｂ３２／２０，Ｃ０１Ｂ３２／２５，Ｃ０１Ｂ３２／３０に包含されないもの［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/10	・ふっ化炭素，例．［ＣＦ］ｎまたは［Ｃ２Ｆ］ｎ（その黒鉛層間化合物Ｃ０１Ｂ３２／２２）［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/15	・ナノサイズの炭素物質［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/152	・・フラーレン［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/154	・・・製造［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/156	・・・後処理［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/158	・・カーボンナノチューブ［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/159	・・・シングルウォール［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/16	・・・製造［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/162	・・・・触媒に特徴のあるもの［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/164	・・・・連続プロセスを含むもの［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/166	・・・・液相中［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/168	・・・後処理［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/17	・・・・精製［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/172	・・・・選別［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/174	・・・・誘導体化；可溶化；溶媒への分散［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/176	・・・・切断［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/178	・・・・開口；充填［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/18	・・ナノオニオン；ナノスクロール；ナノホーン；ナノコーン；ナノウォール［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/182	・・グラフェン［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/184	・・・製造［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/186	・・・・化学蒸着［ＣＶＤ］によるもの［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/188	・・・・エピタキシャル成長によるもの［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/19	・・・・剥離によるもの［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/192	・・・・・黒鉛酸化物から出発するもの［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/194	・・・後処理［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/196	・・・・精製［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/198	・・・酸化グラフェン［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/20	・黒鉛［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/205	・・製造［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/21	・・後処理［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/215	・・・精製；製鉄において形成される黒鉛の回収または精製，例．キッシュ黒鉛［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/22	・・・層間化合物［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/225	・・・・膨張；剥離［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/23	・・・酸化［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/25	・ダイヤモンド［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/26	・・製造（超高圧の使用によるものＢ０１Ｊ３／０６；結晶成長によるものＣ３０Ｂ２９／０４）［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/28	・・後処理，例．精製，照射，分離または回収［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/30	・活性炭［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/306	・・分子ふるい特性を持ったもの［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/312	・・製造［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/318	・・・出発物質に特徴のあるもの［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/324	・・・・廃棄物，例．タイヤまたは亜硫酸パルプ廃液，からのもの［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/33	・・・・石炭または石油の蒸留残渣からのもの；石油酸スラッジからのもの［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/336	・・・ガス状活性化剤に特徴のあるもの［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/342	・・・非ガス状活性化剤に特徴のあるもの［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/348	・・・・金属化合物［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/354	・・後処理［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/36	・・・再活性化または再生［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/366	・・・・物理的処理によるもの，例．照射によるもの，炭素質フィードストックへの通電によるものまたは再利用可能な不活性加熱体の使用によるもの［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/372	・・・被覆；グラフト化；マイクロカプセル化［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/378	・・・精製［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/384	・・・粒状化［２０１７．０１］	(注)/(索引)	HB	CC	4G146

C01B32/39	・・その製造のための装置［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/40	・一酸化炭素［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/50	・二酸化炭素［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/55	・・固体化［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/60	・炭酸塩または重炭酸塩の一般的製造方法（過炭酸塩Ｃ０１Ｂ１５／１０；特定の炭酸塩または重炭酸塩はその陽イオンに従いＣ０１Ｂ～Ｃ０１Ｇ）［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/70	・炭素およびいおうを含有する化合物，例．チオフォスゲン［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/72	・・二硫化炭素［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/75	・・・いおうまたはいおう化合物と炭化水素との反応による製造［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/77	・・炭素オキシ硫化物［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/80	・フォスゲン［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/90	・炭化物［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/907	・・オキシ炭化物；スルフォ炭化物；炭化物の混合物［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/914	・・単一元素の炭化物［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/921	・・・炭化チタン［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/928	・・・アクチニド炭化物［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/935	・・・アルカリ金属，ストロンチウム，バリウムまたはマグネシウムの炭化物［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/942	・・・炭化カルシウム［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/949	・・・炭化タングステンまたは炭化モリブデン［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/956	・・・炭化けい素［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/963	・・・・けい素を含む化合物からの製造［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/97	・・・・・ＳｉＯまたはＳｉＯ２からの製造［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/977	・・・・・けい素を含む有機化合物からの製造［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/984	・・・・・けい素元素からの製造［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

C01B32/991	・・・炭化ほう素［２０１７．０１］		HB	CC	4G146

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